问题：

如何可能改变一个参数在一个给定的时间域模拟。例如，在某个时间打开或关闭开关，或随时间改变电阻器的值。

回答：

INTERCONNECT中的元素的属性在时域模拟过程中是固定的，所以在模拟过程中不能改变它们。***改变的元件参数是那些依赖于输入信号的值，例如调制器的有效指数，它依赖于输入电信号。创建随时间变化的属性的一种可能方法是使用Scripted Element，但这是一种高级特性，可能需要用户花费大量开发时间。

问题：

波段偏移量(twlm。在Lumerical TWLM激光模型中定义QB和TWLM . schb) ?它们仅仅是量子阱和势垒之间的导带偏移还是量子阱和势垒之间的带隙能量差?

回答：

QB为量子势垒高度，SCHB为SCH势垒高度。

问题：

我需要得到电压-相位变化关系，所以我使用CHARGE和FDE来得到neff的变化。对此，我有以下几点疑问:

1)我可以在CHARGE中模拟类似铌酸锂的材料吗?我的意思是它支持铌酸锂的各向异性介电常数吗?

2)如果是，我如何定义它的材料属性?我是否需要在电场极化和变化的异常轴(xcut LNOI)方向上给出它的相对介电常数?

3)在绝缘体属性中(SiO2)有一个相对介电常数的选项，但这也是频率和温度的函数(https://link.springer.com/content/pdf/10.1007/s40145-015-0176-7.pdf)所以我怎么做;我应该在哪个频率选择相对介电常数?

4) 默认数据库中给出的所有材料的热性能值都是相同的，不会影响模拟吗?

回答：

A1:目前CHARGE不支持各向异性材料。

A2: 您可以尝试进行两次(no, ne)或三次模拟(如果nxx、nyy和nzz的值不同)，并检查结果，看看差异是否很大。(这超出了论坛范围，但值得尝试，个人，并让我知道你的结果)。

A3:CHARGE只使用直流介电常数，因为电荷传输方程只处理静态场:CHARGE求解器引入的场不依赖于频率。其他参数可以随温度变化而变化，但直流介电常数默认不变。如果变化较大，你可以尝试在不同的温度下使用不同的直流介电常数值(同样，这超出了论坛的范围，但你可以尝试并看到差异。我认为这样的改变将是***小的)。

A4: 如果你没有模拟与HEAT耦合，它假设温度不会因为CHARGE而改变。如果参数随温度变化而影响结果，可以使用HEAT进行联合模拟。

问题：

老师您好，我想在FDTD中仿真如图所示的具有SWG结构的Grating Coupler，需要在顶部的Si中刻蚀掉一系列尺寸渐变的长方体洞（图中黄色是顶部的Si，紫色为底部的SiO2）。FDTD中是否可以通过布尔运算来实现这样的结构？还是只能通过mesh order来实现？另外所刻掉的一系列长方体尺寸之间具有线性关系，是否可以直接通过一个长方体和函数关系来生成这样的整个阵列？

回答：

不能通过布尔运算来实现这样的结构， 只能通过mesh order来实现。可以用结构组，用脚本完成设置，或者手工一个一个添加、Copy。请参见器件库中的结构组了解如何设置。

问题：

是否有可能运行没有X服务器的Lumerical脚本?我目前在我们的HPC集群上运行这样的命令，但注意到它需要X11转发和一个X服务器:fdtd-solutions -nw -run ./script。lsf。/例子。fsp是否可以在没有X服务器的情况下运行脚本?这样就可以在HPC作业中提交它们，还可以避免由于Xming崩溃等原因导致的命令失败。

回答：

脚本是CAD/GUI的一部分。当运行脚本时，它将始终需要GUI环境和GUI许可证。我们有这个虚拟展示。否则，请咨询IT/集群管理员安装GUI/桌面环境(即Gnome)。